Super Trench MOSFET
Super TrenchMOSFET系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（Shield Gate Deep Trench）技術(shù)，全面提升了器件的開關(guān)特性和導通特性，同時降低了器件的特征導通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）。通過采用這一先進技術(shù)，最新的75V-150V中壓MOSFET產(chǎn)品的FOM(品質(zhì)因數(shù)(Rdson*Qg))比傳統(tǒng)溝槽型功率MOSFET降低了45%。新款Super Trench MOSFET的軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰，實現(xiàn)在AC/DC電源的同步整流中快速開關(guān)。
Super Trench技術(shù)全面提升了產(chǎn)品的導通電阻溫度特性，有效控制了器件導通電阻隨溫度增加而上升的幅度，以100V產(chǎn)品為例，對比傳統(tǒng)溝槽型MOSFET產(chǎn)品，Super Trench技術(shù)將器件175度下的導通電阻倍增因子（Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C）由原有的2.29降低為2.09，從而顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。Super Trench MOSFET產(chǎn)品將更適宜于高溫嚴酷環(huán)境下的應用！
配合先進的封裝技術(shù)，Super Trench技術(shù)致力于提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電能轉(zhuǎn)換。
目前推出的量產(chǎn)品種包含30V~230V的電壓系列，同時為您帶來包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封裝外形選擇。
特點與優(yōu)勢：
· 極低的Rdson · 極低的Qg和Qgd · 極低的FOM（Rdson*Qg） · 高溫下的電流能力更強
· 快速柔軟恢復的體二極管特性 · 低Crss/Ciss，增強抗EMI能力 · 高UIS耐量，100%出廠測試 · 符合RoHS標準
應用：
· 交流/直流電源的同步整流 · 直流電機驅(qū)動 · 逆變器 · 電池充電器和電池保護電路
·36V-96V系統(tǒng)中的馬達控制 · 隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器 · 不間斷電源
